Nedávno jsem vyrobil další impulzní zdroj, tentokrát 14,5V 0,4A. Lze ho použít prakticky kdekoliv. Já ho používám
pro napájení budících obvodů pro polomůstky s MOSFETy a IGBT.
Zdroj je velmi podobný předchozímu zdroji 3,4V 2,5A.
Proto nebudu znovu popisovat podrobný princip činnosti. Napětí zdroje lze upravit v rozmezí asi 8 - 18V změnou odporu R1.
Transformátor je navinut na feritové jádro EE nebo EI s průřezem středního sloupku
0,7cm2 (7 x 10mm). Nejdříve se navine polovina primárních závitů, tedy 27.
Drát má průměr asi 0,15 - 0,2mm.
Na něm je alespoň 8 vrstev izolační pásky. Potom se vine sekundár. Vzhledem
k nízkému počtu závitů je možné použít i izolovaný drát, což přispívá k bezpečnosti.
Potom následuje opět 8 vrstev izolační pásky. Dále se vine pomocné vinutí
4 závity, lze použít stejný drát jako na primár. Potom opět izolační vrstva,
která však nemusí být tak silná. Nakonec se navine zbylých 27 závitů primáru.
Potom opět několik vrstev izolace. Mezi poloviny jádra se vloží jedna vrstva
izolační pásky nebo 2 vrstvy papíru, aby se vytvořila mezera cca 0,2mm zabraňující jeho přesycení.
Nakonec se jádro zalepí např. vteřinovým lepidlem.
Deska plošného spoje musí být uspořádána tak, aby síťová a oddělená část byli
od sebe dostatečně daleko. Zdroj spolehlivě pracuje v rozsahu napájecího napětí 80...250Vst nebo 80...350Vss.